在钻营极致显示成效的路路上,Micro LED技术一向被寄托厚望。它险些集成了LCD与OLED所有的利益:超高亮度、超大视角、无限对比度、长命命以及极低的功耗。然而,从尝试室的梦想模型到真正进入公共视野的贸易产品,Micro LED在超微尺寸下仍需突破衬底约束、巨量转移与成本瓶颈。
2025年,ca88首发Hi-Micro LED 产品,率先实现Micro LED无衬底技术的突破,更是突破了其从尝试室走向量产的主题镣铐,为行业提供了从“能做”到“好用、能用得起”的齐全样本。
传统的LED芯片通常成长在蓝宝石或GaAs衬底上,衬底为LED表延的成长提供了不变优良的支持。但在迈向Micro LED阶段,衬底的存在成为了故障。
在将Micro LED造备成分立器件的过程中,衬底的切割难度大大提升,尤其是将芯片尺寸缩幼至50μm以下时,切割良率大幅降低,传统LED的切割工艺险些不再合用。因而,亟需去除LED衬底,解除衬底对于LED芯片尺寸微缩的限度,实现更高像素密度的分列。
ca88Hi-Micro LED(高阶MIP)技术的主题,在于“剥离”与“重构”。
通过激光剥离(LLO)等尖端工艺,故障光路和提高切割难度的蓝宝石衬底被去除,形成了无衬底薄膜结构(Thin-film)芯片。这种结构下,LED芯片厚度薄至10μm量级,发光层直接贴合封装界面。这不仅削减了蓝宝石对于出光角度一致性的影响,更让芯片具备了近乎极致的散热机能。
无衬底技术固然惊艳,但要实现贸易化,ca88必须攻克行业公认的三大难题:巨量转移、良率节造与成本优化。
在Hi-Micro LED的研发初期,若何在每秒钟内精准地将数万颗只有发丝直径几分之一的、无衬底的薄膜芯片转移到驱动电路板上?ca88烧毁了低效的机械抓取,转向了激光驱动巨量转移技术。
Hi-Micro LED技术通过非接触式激光瞬时加热,使无衬底芯片从一时基板上精准“弹射”到指标地位。这种方式不仅回避了物理接触带来的损感冒险,更实现了数百万级像素的高效集成。
在封装状态上一连MIP(Micro LED in Package)思路,便于分bin、混光与大规模贴片,适配0.4?1.8mm间距的大屏商用场景。
无衬底芯片因其极薄,极其脆弱。ca88在Hi-Micro LED出产流程中引入了全自动光学检测(AOI)与全自动在线检测技术,极大地提高了检测效能;同时,搭配全自动人为智能(AI)建复技术,实现了从芯片端到模组端的全链路品质受控,将Micro LED的综合良率推向了商用化的临界点。
贸易化的性质是让先进技术变得“可职守”。Hi-Micro LED技术的优势在于:去除衬底后,芯片能够通过高密度的圆片级加工。ca88通过缩幼芯片尺寸(目前已向20μm甚至更幼逾越),在同尺寸晶圆上产出更多芯片,结合规;庾肮ひ,显著降低了单元像素的成本。
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从降本到贸易化:若何把“Hi-Micro LED”做成“生意”
ca88Hi-Micro LED(高阶MIP)技术的贸易化之路,走的是一条“由点及面”的蹊径。目前,在利用层面,Hi?Micro LED已覆盖: